韓國三星首次研發(fā)5納米半導體工藝性能提高10%

2019-05-22 13:56:00

　　韓國《中央日報》發(fā)布消息稱,三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導體工藝,并于4月中正式量產(chǎn)首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導體的精密工藝問題,三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也日趨激烈。

　　三星電子宣布成功開發(fā)的5納米精密工藝采用了比現(xiàn)有的ArF更優(yōu)越的EUV技術(shù)。與ArF工藝相比,EUV短波長,能夠更加準確地畫出精密半導體的電路。半導體的電路越設計越薄,芯片的尺寸變小,耗電量也同時減小,發(fā)熱也降低,因此精密工藝尤為重要。

　　三星電子方面表示,此次開發(fā)的“5納米工藝”通過最優(yōu)化的單元儲存設計,將比已有的7納米減少25%的面積大小,同時電量使用率提高20%,性能提高10%。

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